Infineon IRFB4620PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-04-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFB5620PBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFB4620PBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 72.5 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N Ch., 200V, 27A, 70.7 MOHM, 28NC QG, TO-220AB, Pb-Free
Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.0725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 200V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:144W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:144W; Pulse Current Idm:100A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance72.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance72.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation144 W
Rds On Max72.5 mΩ
Resistance72.5 MΩ
Rise Time22.4 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25.4 ns
Turn-On Delay Time13.4 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento