Infineon IRFB4310ZPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFB4310PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 5.6 Milliohms;ID 130A;TO-220AB;PD 300W
InfineonIRFB3307PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5 Milliohms;ID 130A;TO-220AB;PD 250W;gFS 98S
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFB4310ZPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 4.8 Milliohms;ID 120A;TO-220AB;PD 250W
Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 250 W
Trans MOSFET N-CH 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:127A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:250W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:4310; Current Id Max:140A; N-channel Gate Charge:120nC; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:250W; Power Dissipation Pd:250mW; Pulse Current Idm:560A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation250 W
Rds On Max6 mΩ
Recovery Time40 ns
Resistance6 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento