Infineon IRF9530NSTRLPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRF9530NSTRLPBF | 938 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRF9530NSTRLPBF | 4000 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF9530NSTRLPBF | 4540 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRF9530NSTRLPBFCT-ND | 8000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF9530NSTRLPBF | 0 | 800 | Bulk | 17h |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
InfineonIRL530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
InfineonIRL530NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF9530NSTRLPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID -14A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;-55
Single P-Channel 100V 0.2 Ohm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF9530NSTRLPBF,MOSFET, P-CHAN NEL, -100V, -14A, 200 MOHM, 3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Surface Mount
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-14A; On Resistance, Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:79W ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 14 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 200 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 46 / Rise Time ns = 58 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 79
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time58 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento