Infineon IRF8113TRPBF
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF8113TRPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
30V 17.2A 5.6m´Î@10V17.2A 2.5W 2.2V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Package / Case:8-SOIC
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -59.83%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.2 A
Current Rating16.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.91 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max5.6 mΩ
Resistance5.6 MΩ
Rise Time8.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento