Infineon IRF7902TRPBF
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7902TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 10h | |||||||
| Avnet | IRF7902TRPBF | 0 | 4K | 20h | ||||||||
| Microchip USA | IRF7902TRPBF | 347 | 3500 | Bulk | 10h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7902TRPBF | 55.900 | 90 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7902TRPBF | 13.187 | 7 | Tape & Reel | 17h |
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7902TRPBF.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN3024LSD-13
Mosfet, Dual, N-Ch, 30V, 6.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3024LSD-13
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF7902TRPBF suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.4A/9.7A 8-Pin SOIC T/R
Dual N-Channel 30 V 22.6 mOhm 4.6 nC HEXFET® Power Mosfet -SOIC-8
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Low Thermal resistance to PCB; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Very Low Gate Charge; Dual N-Channel MOSFET
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):14.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8; Leaded Process Compatible:Yes; Package / Case:SO-8
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance580 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
On-State Resistance14.4 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max22.6 mΩ
Resistance22.6 MΩ
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento