Infineon IRF7809AVPBF

IRF7809AVPBF: 30 V 13.3 A 9 mOhm SMT Hexfet Power Mosfet - SOIC-8
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7809AVPBF.

Future Electronics

Datasheet8 páginasHace 20 años

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Componentes relacionados

InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
30V 17A 9.5m´Î@10V10A 5W 2.2V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
InfineonSI4420DYPBF
SI4420DYPBF N-channel MOSFET Transistor, 12.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
STMicroelectronicsSTS11NF30L
N-Channel 30V - 0.009 Ohm - 11A - SO-8 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF7809AVPBF suministradas por sus distribuidores.

IRF7809AVPBF: 30 V 13.3 A 9 mOhm SMT Hexfet Power Mosfet - SOIC-8
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13.3A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:13.3A; On Resistance, Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:13.3A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:100A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7809; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SP001577464