Infineon IRF7805TRPBF
$ 0.481
Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Componentes relacionados
InfineonIRF7809AVTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF7805TRPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.2Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Single N-Channel 30 V 11 mOhm 31 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
HEXFET CHIP-SET FOR DC-DC CONVERTERS Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:13A; Package/Case:8-SOIC; Power Dissipation, Pd:2.5W; Drain Source On Resistance @ 4.5V:11mohm; Drain-Source Breakdown Voltage:30V ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11 mΩ
Resistance11 MΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento