Infineon IRF7606TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 0.075 Ohm; Id -3.6A; MICRO8; Pd 1.8W; Vgs +/-20V
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7606TRPBF.

Newark

Datasheet7 páginasHace 21 años

IHS

International Rectifier

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRF7606TRPBF desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Componentes relacionados

InfineonIRF7509TRPBF
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS
InfineonIRF7503TRPBF
Trans Mosfet Array Dual N-Ch 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R - Tape And Reel Irf7503Trpbf)
InfineonIRF7506TRPBF
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
Diodes Inc.ZXM64N02XTA
ZXM64N02X Series 20 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
InfineonIRF7555TRPBF
-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF7606TRPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID -3.6A;Micro8;PD 1.8W;VGS +/-20V
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, P MICRO-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 3.6A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd:
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-3.6A; Package/Case:8-uSOIC; Power Dissipation, Pd:1.8W; Drain Source On Resistance @ 10V:90mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:150mohm ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF7606
  • IRF7606TRPBF.
  • SP001563726