Infineon IRF7492PBF
$ 0.87
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7492PBF.
Ficha técnica oficialHace 2 años
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-03-12
LTD Date2013-09-12
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF7492PBF suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
MOSFET, 200V, 3.7A, 79 MOHM, 39 NC QG, SO-8
N-Ch 200V 3,7A 2,5W 0,079R SO8
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):79mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.7A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:30A; SMD Marking:F7492; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance79 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.82 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max79 mΩ
Recovery Time100 ns
Rise Time13 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width4.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Ficha técnica oficialHace 2 años
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento