Infineon IRF7402TRPBF
$ 0.424
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7402TRPBF | 763 | 13h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7402TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 2h | |||||||
| Farnell | IRF7402TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 13h | |||||||
| Mouser | 942-IRF7402TRPBF | 1515 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-IRF7402TRPBF | 15.400 | 175 | 14h |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-10-03
LTD Date2014-04-03
Componentes relacionados
InfineonIRF7404PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID -6.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7401TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;VF
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF7402TRPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 20 V 35 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:6.8A; On Resistance, Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.8 A
Current Rating6.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance650 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance35 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time47 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento