Infineon IRF7380TRPBF

Dual N-Channel 80 V 73 mOhm 23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
$ 0.533
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7380TRPBF.

IHS

Datasheet9 páginasHace 12 años

element14 APAC

TME

_legacy Avnet

Future Electronics

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-9.70%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRF7380TRPBF desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Componentes relacionados

InfineonIRF7380PBF
Single N-Channel 80 V 73 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS3692
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO / Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
onsemiFDS3992
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
onsemiFDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO / Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
SI4100DY-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.8 A, 100 V, 8-PIN SOIC
STMicroelectronicsSTS4DNF60L
N-Channel 60V - 0.045 Ohm - 4A - SO-8 STripFET(TM) II POWER MOSFET

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF7380TRPBF suministradas por sus distribuidores.

Dual N-Channel 80 V 73 mOhm 23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 80V, 0.073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, DUAL N-CH , 80V, 3.6A, SOIC-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.6A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 2W; Transistor Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF7380TRPBF.
  • SP001574936