Infineon IRF7316TR
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-02-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF7316TR suministradas por sus distribuidores.
-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
MOSFET DUAL P-CH -30V 4.9A SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-4.9A; On Resistance, Rds(on):58mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:SO-8 RoHS Compliant: No
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Current Rating-4.9 A
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance710 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max58 mΩ
Voltage Rating (DC)-30 V
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento