Infineon IRF640NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.15 Ohm; Id 18A; TO-220AB; Pd 150W; Vgs +/-20V
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2
IRF640NPBF45.6321
3d
NewarkIRF640NPBF11.1821
Future Electronics
2
IRF640NPBF141.20740Tube
Arrow Electronics
2
IRF640NPBF114.3501
RutronikTMOSP1183755050
7h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF640NPBF.

IHS

Datasheet11 páginasHace 15 años
Datasheet12 páginasHace 15 años
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element14 APAC

Newark

Sierra IC

iiiC

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-01-09
LTD Date2014-07-09

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Descripciones

Descripciones de Infineon IRF640NPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-220AB;PD 150W;VGS +/-20V
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Transistor MOSFET N-Ch. 18A/200V TO220 IRF 640 N PBF
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Avnet
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MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 150 W
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Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:18A; On Resistance, Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.15ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:72A; No. of Pins:3; Power Dissipation:150W; Power, Pd:150W; Thermal Resistance, Junction to Case A:1°C/W; Voltage, Vds Max:200V; Voltage, Vgs th Max:4V
Farnell

Imágenes

Infineon
DKO Electronshik
Farnell
TME
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B+D Enterprises
RS APAC
Newark
Micros
Conrad
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
South Microelectronics
Distrelec
UTSource
International Rectifier
Jameco
LCSC
element14
SOS electronic

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF 640 N PBF
  • IRF640N
  • IRF640N PBF
  • IRF640NPBF.
  • SP001570078