Infineon IRF3710ZLPBF
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Componentes relacionados
InfineonIRFSL4510PBF
MOSFET N-CH 100V 61A TO262 N-Channel 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF3710ZLPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
MOSFET N-CH 100V 59A TO262 N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-262
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:59A; On Resistance, Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)59 A
Current Rating59 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance18 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation160 W
Rds On Max18 mΩ
Rise Time77 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height15.095 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento