Infineon IRF100P219AKMA1

N Channel 100 V 203 A 1.7 mOhm Through Hole Transistor Power Mosfet - PG-TO247-3
$ 2.49
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IHS

Datasheet11 páginasHace 0 años

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Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF100P219AKMA1 suministradas por sus distribuidores.

N Channel 100 V 203 A 1.7 mOhm Through Hole Transistor Power Mosfet - PG-TO247-3
Future Electronics
Transistor Power MOSFET N-Channel 100V 316A 3-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 203A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
IHS
Mosfet, N-Ch, 100V, 203A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:203A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.8V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF100P219AKMA1
Newark

Imágenes

Infineon
Newark

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SP005537805