Infineon IQE004NE1LM7CGSCATMA1
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2023-09-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IQE004NE1LM7CGSCATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 15V, 379A, Whtfn Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IQE004NE1LM7CGSCATMA1
N-Channel 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
场效应管, MOSFET, N沟道, 15V, 379A, WHTFN;
IQE004NE1LM7CGSC is part of the first 15 V trench power MOSFETs portfolio in the industry. Reduced breakdown voltage leads to an improvement in RDS(on) and FOMQg by ~30%, and ~40% for FOMQOSS when compared to OptiMOS™ 5 25 V. The Center-Gate footprint is optimized parallelization. The dual-side cooling feature boosts thermal management capabilities, pushing power density and efficiency to the next level in High Power SMPS applications.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Breakdown Voltage15 V
Drain to Source Resistance370 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)15 V
Gate to Source Voltage (Vgs)7 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation2.1 W
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height750 µm
Fichas técnicas y documentos
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