Infineon IPW60R018CFD7XKSA1
$ 9.12
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Modelos CAD
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-05-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IPW60R018CFD7XKSA1 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 101 A, 18 Milliohms, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 101A I(D), 600V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, 600V, 101A, 150Deg C, 416W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:101A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.015Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW60R018CFD7XKSA1
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -35.76%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)101 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation416 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation416 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time220 ns
Turn-On Delay Time80 ns
Dimensions
Height25.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento