Infineon IPN65R1K5CEATMA1
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-04-15
LTD Date2024-10-15
Componentes relacionados
InfineonIPN50R1K4CEATMA1
INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew
Descripciones
Descripciones de Infineon IPN65R1K5CEATMA1 suministradas por sus distribuidores.
5W(Tc) 3.5V@ 100¦ÌA 10.5nC@ 10 V 1N 650V 1.5¦¸@ 1A,10V 225pF@100V SOT-223-3 6.7mm*1.7mm
Non-Compliant Tape & Reel No SVHC SOT-223 3 Production (Last Updated: 2 years ago) 3000
CoolMOS CE Power Transistor N-Channel 650V 9.2A 3-Pin SOT-223
Mosfet, N-Ch, 650V, 5.2A, Sot-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):1.35Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPN65R1K5CEATMA1
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.5 Ω
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation5 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time5.9 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento