Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1
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Production
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Tendencia de 3 meses: +17.45%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 4A, To-252-3 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD70R1K4P7SAUMA1
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 700V, 4A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):1.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V CoolMOS™ P7 enables best fit for target applications in terms of:Efficiency and thermalsEase-of-useEMI behavior
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +17.45%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation22.7 W
Min Breakdown Voltage700 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.4 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation22.7 W
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.55 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento