Infineon IPD60R400CEAUMA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.489
NRND

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Datasheet17 páginasHace 0 años

Infineon

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Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Componentes relacionados

Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Surface Mount
Single N-Channel 600 V 45 Ohm 4.5 nC SIPMOS® Power Mosfet - SOT-223
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, DPAK
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK
STMicroelectronicsSTN1NK60Z
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package

Descripciones

Descripciones de Infineon IPD60R400CEAUMA1 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
112W 20V 3.5V 32nC@ 10V 2N 650V 400m¦¸@ 10V,3.8A 14.7A 700pF@100V TDSON-8,TO-252
IPD60R400CE Series 600 V 14.7 A 0.4 Ohm Single N-Channel MOSFET - TO-252-3
600V 14.7A 400m惟@10V,3.8A 112W 3.5V@300uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Infineon MOSFET IPD60R400CEAUMA1
Very high commutation ruggedness
IPD60R400 - 600V COOLMOS N-CHANN
MOSFET, N-CH, 600V, 14.7A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14.7A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 112W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CE Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPD60R400CE
  • SP001396880