Infineon IPD135N03LGATMA1
$ 0.262
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPD135N03LGATMA1 | 4265 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPD135N03LGATMA1 | 12 | 1 | |||||||||
| Rutronik | TMOSP9749 | 5000 | 2500 | 10h | ||||||||
| DigiKey | IPD135N03LGATMA1CT-ND | 19.703 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPD135N03LGATMA1 | 0 | 2500 | 4h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-10-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
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Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 32A 1.87W 1.3ns
Descripciones
Descripciones de Infineon IPD135N03LGATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 30A, 30V, PG-TO252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0113ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V;
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance13.5 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation31 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height2.41 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento