Infineon IPD048N06L3GBTMA1

115W 20V 37NC@ 4.5V 1N 60V 4.8M¦¸@ 10V 6.3NF@ 30V TO-252-3 , 6.5MM*6.22MM*2.3MM
$ 0.547
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPD048N06L3GBTMA1807
10h
Farnell
2
IPD048N06L3GBTMA101Cut Tape
10h
Microchip USAIPD048N06L3GBTMA1197600
5h
Verical
2
IPD048N06L3GBTMA1676124
Win Source
2
WS-IPD048N06L3GBTMA118.76055
12h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPD048N06L3GBTMA1.

IHS

Datasheet9 páginasHace 15 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPD048N06L3GBTMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-12-31
LTD Date2022-06-30

Componentes relacionados

InfineonIPD100N06S403ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Detalles
InfineonIRFR7540PBF
Single N-Channel 60 V 4 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Detalles
InfineonIPD038N06N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Detalles
Diodes Inc.DMTH6004SK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SK3-13
Detalles
Diodes Inc.DMTH6005LK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6005LK3-13
Detalles
onsemiFDD86569-F085
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 60 V, 90 A, 5.7 mΩ
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPD048N06L3GBTMA1 suministradas por sus distribuidores.

115W 20V 37nC@ 4.5V 1N 60V 4.8m¦¸@ 10V 6.3nF@ 30V TO-252-3 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MURATA - GRM155R61H104KE19D - SMD flerskiktig keramisk kondensator, 0.1 µF, 50 V, 0402 [1005 Metrisk], ± 10%, X5R, GRM Serien
Utmel Electronic
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.0037Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V Rohs Compliant: Yes
Newark
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon

Imágenes

TME
Newark
Farnell
Future Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPD048N06L3 G
  • IPD048N06L3G
  • SP000453334