Infineon IPB65R065C7ATMA2
$ 3.992
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IPB65R065C7ATMA2 | 1000 | 1K | 6d | ||||||||
| Newark | IPB65R065C7ATMA2 | 990 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPB65R065C7ATMA2 | 10.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB65R065C7ATMA2 | 940 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IPB65R065C7ATMA2CT-ND | 2220 | 1 | Cut Tape |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -3.91%
Modelos CAD
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0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IPB65R065C7ATMA2 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 / N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Mosfet, N-Ch, 650V, 33A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA2
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation171 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation171 W
Rds On Max65 mΩ
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento