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Descripciones
Descripciones de Infineon IPB16CN10N G suministradas por sus distribuidores.
53 A 100 V 0.0165 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Compliant Surface Mount 7 ns 14 ns 16.5 mΩ TO-263-3 3 3.22 nF
MOSFET, N CH, 53A, 100V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N; Current Id Max:53A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):12.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:100W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO263; No. of Pins:3; Transistor Type:Power MOSFET
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)53 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance16.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.22 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation100 W
Rds On Max16.5 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
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