Infineon IPB160N08S4-03
$ 1.52
Obsolete
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 726-IPB160N08S4-03 | 94 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Worldway Electronics | IPB160N08S403ATMA1 | 19.639 | 7 | Tape & Reel | 19h | |||||||
| Aztech | IPB160N08S403ATMA1 | 8350 | 16h | |||||||||
| Win Source | WS-IPB160N08S403ATMA1 | 20 | 1 | 21h | ||||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | IPB160N08S4-03 | 5449 | 1 | 19h |
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STMicroelectronicsSTH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
STMicroelectronicsSTH185N10F3-6
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Infineon IPB160N08S4-03 suministradas por sus distribuidores.
80V, N-Ch, 3.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 / N-Channel 80 V 160A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow>/li>; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-7
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.75 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation208 W
Rds On Max3.2 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento