Infineon IPB073N15N5ATMA1
$ 1.44
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IPB073N15N5ATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 150V, 114A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB073N15N5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 114A I(D), 150V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 114A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:114A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.8
OptiMOS™ 5 150V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25% compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Q rr = 26 nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -29.82%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)114 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance7.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.3 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation214 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.82 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento