Infineon IPB060N15N5ATMA1
$ 2.23
Production
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Tendencia de 3 meses: -11.11%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-12-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IPB060N15N5ATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 150V, 136A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB060N15N5ATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 136A, TO-263;
OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V
Power Field-Effect Transistor, 136A I(D), 150V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
INFINEON MOSFET IPB060N15N5ATMA1
NMOS, Vds=150 V, 136 A, PG-TO263-7
The OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklifts and e-scooters, as well as telecom and solar applications. The new products offer a breakthrough reduction in RDS(on) (up to 25% compared to the next best alternative in SuperSO8) and Qrr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Qrr = 26nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -11.11%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)136 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation250 W
Turn-Off Delay Time22.2 ns
Turn-On Delay Time14.9 ns
Dimensions
Height4.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento