Infineon IPB032N10N5ATMA1
$ 1.88
Production
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Tendencia de 3 meses: -0.43%
Modelos CAD
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IPB032N10N5ATMA1 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 / N-Channel 100 V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK 7pin package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications, PG-TO263-7, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 166A I(D), 100V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB032N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.43%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)166 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.2 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation187 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time16.2 ns
Dimensions
Height4.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento