Infineon IPB027N10N5ATMA1

Mosfet, N-Ch, 100V, 166A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1
$ 2.128
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPB027N10N5ATMA1.

IHS

Datasheet11 páginasHace 0 años

TME

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-16.59%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPB027N10N5ATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Componentes relacionados

InfineonAUIRFS4310
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
100V, N-Ch, 3.5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 2.4mΩ
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Descripciones

Descripciones de Infineon IPB027N10N5ATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Mosfet, N-Ch, 100V, 166A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 100V, 166A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:166A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB027N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPB027N10N5
  • SP001227034