Infineon IPB014N06NATMA1

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 1.736
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
IPB014N06NATMA17001
Future Electronics
2
IPB014N06NATMA153.0001KTape & Reel
Rochester ElectronicsIPB014N06NATMA11297
22h
DigiKey
3
IPB014N06NATMA1CT-ND46541Cut Tape
Newark
2
IPB014N06NATMA101Cut Tape

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPB014N06NATMA1.

IHS

Datasheet9 páginasHace 13 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-55.56%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPB014N06NATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

InfineonIRFS7534TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Detalles
InfineonIRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Detalles
InfineonIPB180N06S4H1ATMA2
60V, N-Ch, 1.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Detalles
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Detalles
STMicroelectronicsSTH245N75F3-6
Trans MOSFET N-CH 75V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Detalles
STMicroelectronicsSTH265N6F6-6AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPB014N06NATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 60V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
IHS
OptiMOS™ 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon
Mosfet, N-Ch, 60V, 180A, To-263-7; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB014N06NATMA1
Newark

Imágenes

RS
RS APAC
TME
Future Electronics
UTSource
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPB014N06N
  • SP000917408