Infineon IPA60R280P7XKSA1
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IPA60R280P7XKSA1 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 / N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Transistor MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 12A, 24W, To-220Fp; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.214Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA60R280P7XKSA1
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +2.73%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance280 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation24 W
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento