Infineon IMBG120R140M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R140M1HXTMA1
Brand: Infineon
SKU: IMBG120R140M1HXTMA1

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 1200V 18A 7-Pin TO-263 T/R

$ 3.144

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	92AH5311	12	1		7,020	4,750	3,500	3,350	3,350	2d
Newark		IMBG120R140M1HXTMA1	12	1	Cut Tape	4,930	4,740	3,500	3,500	3,500
Arrow Electronics	2	IMBG120R140M1HXTMA1	990	1		4,661	4,661	4,661	4,661	4,661
Rochester Electronics		IMBG120R140M1HXTMA1	9210					2,880	2,580	2,420	22h
DigiKey	2	448-IMBG120R140M1HXTMA1CT-ND	480	1	Cut Tape	7,440	5,023	3,655	3,526	3,526

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Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Hungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-09-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descripciones

Descripciones de Infineon IMBG120R140M1HXTMA1 suministradas por sus distribuidores.

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 1200V 18A 7-Pin TO-263 T/R

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1200V, 0.239ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 18A, To-263-7; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:107W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBG120R140M1HXTMA1

Newark

The CoolSiC™ 1200 V, 140 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L (TO-263-7) package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with .XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.

Infineon

Imágenes

Newark

RS

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres: