Infineon IGP30N65H5XKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
$ 0.979
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IGP30N65H5XKSA1.

TME

Datasheet14 páginasHace 0 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-24.24%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IGP30N65H5XKSA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15

Componentes relacionados

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTGP30M65DF2
STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB
STMicroelectronicsSTGP10M65DF2
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
STMicroelectronicsSTGP19NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Descripciones

Descripciones de Infineon IGP30N65H5XKSA1 suministradas por sus distribuidores.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
188W 1.65V 650V 55mA TO-220 , 10mm*440cm*9.25mm
IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.
Igbt, Single, 650V, 55A, To-220; Dc Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:188W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-220; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Infineon IGP30N65H5XKSA1

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IGP30N65H5
  • SP001037772