Infineon BSZ088N03MSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBSZ088N03MSGATMA185.982
22h
FarnellBSZ088N03MSGATMA101
22h
HQonlineDS0080874251
>1w
Win Source
2
WS-BSZ088N03MSG224875
23h
Worldway ElectronicsBSZ088N03MSGATMA192097Tape & Reel
22h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BSZ088N03MSGATMA1.

_legacy Avnet

Datasheet9 páginasHace 15 años

element14 APAC

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-11.56%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon BSZ088N03MSGATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2007-10-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31

Componentes relacionados

InfineonBSC080N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
Detalles
InfineonBSC886N03LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Detalles
InfineonBSZ100N03LSGATMA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Detalles
onsemiFDMS7680
FDMS7680 Series 30 V 6.9 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - POWER-56
Detalles
onsemiFDS6670A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ
Detalles
onsemiFDS8690
N-Channel 30 V 7.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BSZ088N03MSGATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Epart123
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N; Current Id Max:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON-8; No. of Pins:8; Transistor Type:Power MOSFET
Farnell
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Imágenes

element14 APAC
TME
iiiC
iiiC
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSZ088N03MS G
  • BSZ088N03MSG
  • SP000311509