Infineon BSZ036NE2LSATMA1

Name: Infineon BSZ036NE2LSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ036NE2LSATMA1

2.1W 20V 2V 7.7NC@ 4.5V, 16NC@ 10V 1N 25V 3.6M¦¸@ 10V 40A 1.2NF@ 12V Son , 3.3MM*3.3MM*1.1MM

$ 0.307

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	BSZ036NE2LSATMA1	6424	1		0,517	0,309	0,204	0,129	0,108
Rochester Electronics		BSZ036NE2LSATMA1	31.504					0,367	0,304	0,271	15h
DigiKey	3	BSZ036NE2LSATMA1CT-ND	31.265	1	Cut Tape	1,320	0,831	0,548	0,387	0,354
Avnet		BSZ036NE2LSATMA1	0	5K							1d
Farnell	2	BSZ036NE2LSATMA1	9598	1	Cut Tape	1,220*	0,419*	0,314*	0,284*	0,277*	15h

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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75

Introduction Date2011-03-21

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-09-30

LTD Date2026-03-31

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V POWER56

Detalles

onsemiFDS6680A

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ

Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BSZ036NE2LSATMA1 suministradas por sus distribuidores.

2.1W 20V 2V 7.7nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 3.6m¦¸@ 10V 40A 1.2nF@ 12V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm

Unikeyic (ICkey)

With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).

Infineon

MOSFET, N-CH, 25V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.003ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 79 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.1 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 2.2 / Rise Time ns = 2.8 / Turn-OFF Delay Time ns = 15 / Turn-ON Delay Time ns = 3.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TDSON-8 FL / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 37

Distrelec

Imágenes

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

BSZ036NE2LS
BSZ036NE2LSXT
SP000854572

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Especificaciones técnicas

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)16 A

Drain to Source Resistance5.1 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)25 V

Fall Time2.2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.2 nF

Max Dual Supply Voltage25 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation37 W

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance3.6 mΩ

Package Quantity5000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.1 W

Rise Time2.8 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time15 ns

Turn-On Delay Time3.3 ns

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IHS

Upverter

Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSCompliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeContains Lead

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declaraciones de cumplimiento

Conflict Mineral StatementN/AN/A