Infineon BSO211PHXUMA1
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
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Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Infineon BSO211PHXUMA1 suministradas por sus distribuidores.
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs, PG-DSO-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 8-Pin DSO T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.067ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSO211 - 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET;
3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT,
Infineons highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics. | Summary of Features: Enhancement mode; Normal level, logic level or super logic level; Avalanche rated; Pb-free lead plating; RoHS compliant | Target Applications: Consumer; DC-DC; eMobility; Motor control; Notebook; Onboard charger
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight540.001716 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Resistance67 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance730 pF
Max Dual Supply Voltage-20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance67 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max67 mΩ
Rise Time13 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento