Infineon BSC100N03MSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 41A; 30W; PG-TDSON-8
$ 0.493
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsBSC100N03MSGATMA146081
DigiKey
2
BSC100N03MSGATMA1CT-ND41Cut Tape
Rochester ElectronicsBSC100N03MSGATMA173.242
32m
Farnell
3
BSC100N03MSGATMA1451Cut Tape
11h
Mouser
2
726-BSC100N03MSGATMA15.7081Tape & Reel

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BSC100N03MSGATMA1.

Newark

Datasheet10 páginasHace 12 años

_legacy Avnet

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-0.46%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon BSC100N03MSGATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-10-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Componentes relacionados

InfineonBSC080N03LSGATMA1
Transistor MOSFET N-CH 30V 53A 8-Pin PG-TDSON T/R
Detalles
InfineonBSC090N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Detalles
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
Detalles
InfineonBSC080N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
Detalles
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Detalles
onsemiFDS8876
N-Channel 30 V 8.2 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC100N03MSGATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 41A; 30W; PG-TDSON-8
Epart123
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N CH, 44A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; Current Id Max:44A; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Imágenes

element14 APAC
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC100N03MS G
  • BSC100N03MSG
  • BSC100N03MSGATMA1.
  • SP000311515