Infineon BSC030N03LSGATMA1

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
$ 0.399
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC030N03LSGATMA141481
Arrow Electronics
2
BSC030N03LSGATMA149751
Future Electronics
2
BSC030N03LSGATMA150005KTape & Reel
RutronikTMOSP958250005K
14h
DigiKey
3
BSC030N03LSGATMA1CT-ND19.5421Cut Tape

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BSC030N03LSGATMA1.

_legacy Avnet

Datasheet10 páginasHace 15 años

Farnell

element14 APAC

iiiC

Newark

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+24.44%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon BSC030N03LSGATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

onsemiFDMS7660
N-Channel 30 V 2.8 mOhm Surface Mount Power Trench Mosfet - Power 56
Detalles
InfineonIRF8788TRPBF
Single N-Channel 30 V 2.8 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Detalles
InfineonIRF8788PBF
IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor,24 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Detalles
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Detalles
onsemiFDMS8020
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 131A, 2.5mΩ
Detalles
onsemiFDS6699S
N-Channel 30 V 3.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC030N03LSGATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:69W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Imágenes

RS APAC
element14 APAC
Augswan
TME
Burklin Elektronik
LZChips
iiiC
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC030N03LS G
  • BSC030N03LSG
  • SP000237661