Infineon BSC020N03LSGATMA1

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
$ 0.469
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BSC020N03LSGATMA1.

IHS

Datasheet10 páginasHace 15 años

Infineon SCT

_legacy Avnet

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon BSC020N03LSGATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Componentes relacionados

onsemiFDMS8018
Single N-Channel 30 V 2.5 W 61 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
onsemiFDMS7560S
N-Channel 25 V 30 A 0.00145 ohm SMT PowerTrench SyncFET Mosfet Power 56
Single N-Channel 30 V 1.5 mOhm 51 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin Power 56 T/R
30V 100A 2.5m´Î@10V30A 83W 2V@250Ã×A N Channel PG-TDSON-8 MOSFETs ROHS
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC020N03LSGATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
2.5W 20V 70nC@ 10V,34nC@ 4.5V 1N 30V 2m¦¸@ 10V 5.4nF@ 15V TDSON-8 , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
28 A 30 V 0.0029 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSC020N03LSG INFINeonPb-free QFN
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:96W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:96W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC020N03LS G
  • BSC020N03LS-G
  • BSC020N03LSG
  • BSC020N03LSG.
  • SP000237662