Infineon BSC007N04LS6ATMA1

Mosfet TRENCH 40V N channel 0.7mohm Power pack 5x6 PG-TDSON-8
$ 1.852
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
AvnetBSC007N04LS6ATMA150005K
2d
Newark
2
BSC007N04LS6ATMA15631Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC007N04LS6ATMA1251
DigiKey
3
BSC007N04LS6ATMA1CT-ND33391Cut Tape
Future Electronics
2
BSC007N04LS6ATMA105KTape & Reel

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BSC007N04LS6ATMA1.

IHS

Datasheet12 páginasHace 0 años

TME

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-61.97%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon BSC007N04LS6ATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
SímboloFootprint
Descargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-07-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC007N04LS6ATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Mosfet TRENCH 40V N channel 0.7mohm Power pack 5x6 PG-TDSON-8
Future Electronics
N-Channel 40V 100A 2.3V @ 250uA 0.7mΩ @ 50A,10V 188W TDSON-8 FL MOSFET RoHS
Utmel Electronic
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
20V 2.3V 94nC 1N 40V 700¦Ì¦¸@ 10V,50A 100A 8.4nF@ 20V TDSON-8
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 319A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TDSON;
Farnell
N-CH 40V 100A 0.7mOhm TDSON-8FL
Rutronik
Compliant 1 mm 3 W 1 8 ns 40 ns 175 °C
Augswan
FET Input Operational Amplifier
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.
Mosfet, N-Ch, 40V, 100A, Tdson; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC007N04LS6ATMA1
Newark
The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits.Improvements in on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd) enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
Infineon

Imágenes

RS
TME
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC007N04LS6
  • SP001629650