Infineon BGS12SN6E6327XTSA1

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

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Farnell

Datasheet16 páginasHace 9 años

IHS

Infineon

Newark

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Tendencia de 3 meses:
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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.01
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-15
LTD Date2025-12-15

Componentes relacionados

NXP SemiconductorsBGA2817,115
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BGA2866 Series 5.5 V 17.4 mA Surface Mount MMIC Wideband Amplifier - TSSOP-6

Descripciones

Descripciones de Infineon BGS12SN6E6327XTSA1 suministradas por sus distribuidores.

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications, TSNP-6-2, RoHS
Infineon SCT
RF Switch Single SPDT 0.1GHz to 6GHz 6-Pin TSNP T/R
Wideband RF SPDT Switch In Small Package
RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6
RS APAC
SPDT Switch 30dBm 3,6V TSNP-6-2
芯片, 射频开关, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6;
RF SWITCH, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6; Frequency Response RF Min:100MHz; Frequency Response RF Max:6GHz; IC Case / Package:TSNP; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:85°C; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications. Any of the 2 ports can be used as termination of the diversity antenna handling up to 30 dBm. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. The 0.1 dB compression point exceeds the switch’s maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels. The RF switch has a very low insertion loss of 0.25 dB in the 1 GHz and 0.29 dB in the 2.5 GHz range.Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.The BGS12SN6 RF switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 0.7x1.1mm2 and a maximum height of 0.375 mm.Evaluation Board: BGS12SN6 BOARD

Imágenes

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BGS 12SN6 E6327
  • BGS12SN6
  • BGS12SN6 E6327
  • BGS12SN6E6327
  • SP001068580