Infineon BFR360FH6327XTSA1
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
ROHMDTC124EMT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC144EMT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SC5662T2LP
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 11 V, 3.2 Ghz, 150 Mw, 10 Ma, 56 Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SC5662T2LP
onsemiDTC124XM3T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descripciones
Descripciones de Infineon BFR360FH6327XTSA1 suministradas por sus distribuidores.
BFR360F Series 9 V 35 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - TSFP-3
:210mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-60°C to +150°C; RF Transistor Case:TFSP; No. of Pins:3; SVHC:No
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 35 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 6 / DC Current Gain (hFE) = 120 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 15 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 14 / Power Dissipation (Pd) mW = 210 / Package Type = TSFP / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Transistor, RF TSFP3; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:6V; Transition Frequency Typ ft:14GHz; Power Dissipation Pd:210mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-60°C to +150°C; RF Transistor Case:TFSP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Associated Gain Ga:15.5dB; Continuous Collector Current Ic:35mA; Continuous Collector Current Ic Max:35mA; Current Ic Continuous a Max:35mA; Current Ic hFE:15mA; Gain Bandwidth ft Min:11GHz; Gain Bandwidth ft Typ:14GHz; Hfe Min:60; No. of Transistors:1; Noise Figure Typ:1dB; Output @ Third Order Intercept Point IP3:24dB; Package / Case:TSFP3; Power @ 1dB Gain Compression, P1dB:9dBm; Power Dissipation Ptot Max:210mW; SMD Marking:FB2; Termination Type:SMD; Test Frequency:1.8GHz; Transistor Case Style:TSFP; Voltage Vcbo:15V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-343
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)6 V
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency14 GHz
Gain15.5 dB
hFE Min60
Max Breakdown Voltage9 V
Max Collector Current35 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 mW
Min Operating Temperature-60 °C
Noise Figure1 dB
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation210 mW
Power Gain15.5 dB
TerminationSMD/SMT
Test Frequency1.8 GHz
Transition Frequency14 GHz
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento