Infineon BFR106E6327HTSA1
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Descripciones
Descripciones de Infineon BFR106E6327HTSA1 suministradas por sus distribuidores.
BFR106 Series 15 V 210 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - PG-SOT23-3
RF TRANSISTOR, NPN, 16V, 5GHZ, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:16V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:210mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 210 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 16 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 3 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 5 / Power Dissipation (Pd) mW = 700 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Current Rating210 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency5 GHz
Gain13 dB
hFE Min25
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency5 GHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Noise Figure1.8 dB
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation700 mW
Power Gain13 dB
Schedule B8541210080
Transition Frequency5 GHz
Voltage Rating (DC)15 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento