Infineon BCR166E6327HTSA1
$ 0.018
EOL
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BCR166E6327HTSA1 | 1941 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | BCR166 | 6000 | 18h | |||||||||
| Future Electronics | BCR166E6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BCR166E6327HTSA1 | 0 | 36K | 20h | ||||||||
| Mouser | 726-BCR166E6327 | 503 | 1 | Tape & Reel |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +194%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-12-31
LTD Date2020-12-31
Componentes relacionados
Diodes Inc.BC857C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC856A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SAR523EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SAR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de Infineon BCR166E6327HTSA1 suministradas por sus distribuidores.
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
PNP SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
300mV@ 500¦ÌA,10mA PNP - Pre-Biased 200mW 5V 100nA 50V 100mA SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1mm
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP - Pre-Biased ROHS3Compliant Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 70 @ 5mA 5V 100mA 200mW 160MHz
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min70
Input Resistance4.7 kΩ
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency160 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento