Infineon AUIRFSL8403
$ 1.942
Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIPI90N04S402AKSA1
40V, N-Ch, 2.5 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPI100N04S4H2AKSA1
115W(Tc) 20V 4V@ 70¦ÌA 90nC@ 10 V 1N 40V 2.7m¦¸@ 100A,10V 7.18nF@25V I2PAK 10.2mm*4.5mm*9.45mm
STMicroelectronicsSTI360N4F6
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRFSL8403 suministradas por sus distribuidores.
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 123A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering; Relay Replacement
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)123 A
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.183 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation99 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation99 W
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time77 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento