Infineon AUIRFS6535TRL
$ 1.891
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRFS6535TRL | 400 | 3h | |||||||||
| Avnet | AUIRFS6535TRL | 0 | 800 | 5h | ||||||||
| Arrow Electronics | AUIRFS6535TRL | 0 | 800 | |||||||||
| Mouser | 942-AUIRFS6535TRL | 366 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | AUIRFS6535TRL | 1787 | 600 | Tray | 21h |
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany, Mainland China, Mexico, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
InfineonIPB17N25S3100ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 17 A, 100 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
VishayIRF644STRLPBF
3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 68nC@ 10 V 1N 250V 280m¦¸@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263
VishayIRF644STRRPBF
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Tc 14A 3.1W 49ns
Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRFS6535TRL suministradas por sus distribuidores.
TAPE AND REEL / Automotive MOSFET G10.7, 300V, 185mOhm, 38nC, 19A, D2PAK
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK / N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Automotive Q101 300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Piezo Injection
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance148 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.34 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance185 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation210 W
Rds On Max185 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento