Infineon AUIRFS3307Z
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
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MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonAUIRF3808S
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
VishaySUM90N06-5M5P-E3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiBBS3002-TL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK / P-Channel 60 V 100A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
VishaySQM110N05-06L_GE3
SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3
Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRFS3307Z suministradas por sus distribuidores.
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
Transistor MOSFET N-ch 75V 90A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 120A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:230W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Summary of Features: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.75 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max5.8 mΩ
Rise Time64 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento