Infineon AUIRFS3006-7P

MOSFET, N-CH, 60V, 293A, D2PAK-7P; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Dra
$ 2.9
Obsolete

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon AUIRFS3006-7P.

RS (Formerly Allied Electronics)

Datasheet10 páginasHace 10 años

IHS

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon AUIRFS3006-7P desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)

Componentes relacionados

Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 300 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
STMicroelectronicsSTH250N55F3-6
N-channel 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFET
STMicroelectronicsSTH260N6F6-6
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package

Descripciones

Descripciones de Infineon AUIRFS3006-7P suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, N-CH, 60V, 293A, D2PAK-7P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
Transistor MOSFET N-ch 60V 207A D2PAK-7
Trans MOSFET N-CH 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; Dynamic dV/dT Rating; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
MOSFET, N-CH, 60V, 293A, D2PAK-7P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; No. of Pins:7; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • AUIRFS30067P
  • SP001522888