Infineon AUIRF3305
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-11-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
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InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRF3305 suministradas por sus distribuidores.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 140A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET N-Channel 55V 140A HEXFET TO220AB
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET,W DIO,N CH,55V,140A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:140A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:330W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)140 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.65 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation330 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time88 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.66 mm
Width4.72 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento