GoFord G33N03D3

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
$ 0.269
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GoFord

Datasheet6 páginasHace 3 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-14.41%

Cadena de suministros

Country of OriginChina
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541290000
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 10 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 10 months ago)

Descripciones

Descripciones de GoFord G33N03D3 suministradas por sus distribuidores.

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
30V 33A 20W 12m´Î@10V18A 1.1V@250Ã×A 2 N-Channel DFN3.3x3.3-8L MOSFETs ROHS
N-CH 30V 30A 13mOhm/MAX at 10V, 18mOhm/MAX at 4.5V, DFN3.3x3.3-8L
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
9m¦¸ 33A PDFNWB-8

Alias de fabricantes

GoFord tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. GoFord también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Goford Semiconductor
  • GOFORD SEMICONDUCTOR CO LTD